ROHM RU1C001UN N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 124-6834
- Herst. Teile-Nr.:
- RU1C001UNTCL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | RU1C001UN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 150 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.35mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie RU1C001UN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.35mm | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
- Ursprungsland:
- TH
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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