ROHM RUF025N02 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 183-5622
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 800mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Höhe | 820μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie RUF025N02 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 800mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.1mm | ||
Höhe 820μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free
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