ROHM RUF025N02 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
183-5622
Herst. Teile-Nr.:
RUF025N02TL
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

RUF025N02

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Verlustleistung Pd

800mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

820μm

Breite

1.8mm

Länge

2.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Ein-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breites Sortiment für kompakte Typen, Hochleistungs-Typen und komplexe Typen, um verschiedene Anforderungen auf dem Markt zu erfüllen.

Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Kleines SMD-Gehäuse

Bleifrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.