Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 124-8776
Herst. Teile-Nr.:: IRLR3636TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (2000 Stück, auf einer Rolle mit 2000)*

CHF 1'334.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 14. April 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	CHF 0.667	CHF 1'331.18

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 124-8776
Herst. Teile-Nr.:: IRLR3636TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	99A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	49nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	143W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-16V, +16V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22mm
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 143W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22mm
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 99 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLR3636TRPBF

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Schaltkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine hohe Dauerstromkapazität erfordern. Das Gerät verfügt über ein TO-252-Gehäuse für die kompakte Montage auf Leiterplattenebene und eine Gate-Nennleistung, die typische Gate-Drive-Spannungen unterstützt.

Merkmale und Vorteile:

• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 99 A ermöglicht Hochstromschaltung
• Maximale Drain-Source-Spannung 60 V unterstützt Mittelspannungssysteme
• Sehr niedrige Rds(on) von 8,3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 143 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 49 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltdynamik
• Die Durchlassspannung von 1,3 V minimiert den Spannungsabfall unter Last

Anwendungsbereiche

• Ideal für Motorantriebsstufen in elektrischen Betätigungselementen
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Regler
• Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodulen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge in Antrieben mit variabler Drehzahl

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen bei der Konstruktion beachtet werden?

Das Gerät darf nicht über eine Gate-Source-Nennspannung von 16 V hinaus betrieben werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.

Welchen thermischen Bedingungen kann er im Betrieb standhalten?

Der Transistor ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen mit einem geeigneten Wärmemanagement.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Board-Layout und die Montage aus?

Das oberflächenmontierbare TO-252-Format bietet eine kompakte Grundfläche und einen thermischen Pfad zur Leiterplatte, was Verbindungen mit niedriger Induktivität und eine effiziente Wärmeübertragung ermöglicht.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?

Da es sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät handelt, erfordert es einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle, um sich einzuschalten, und bietet bei entsprechender Ansteuerung einen niedrigen Rds(on).