Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-8828
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP80P06PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 124-8828
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP80P06PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 115nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 115nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SPP80P06PHXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochstrom- und Hochtemperaturanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als P-Kanal-Verbesserungstransistor in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und eignet sich für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben, bei denen eine robuste thermische Toleranz erforderlich ist. Die Komponente unterstützt eine gate-gesteuerte Steuerung für eine effiziente Leitung und ist für den Einsatz in Systemen vorgesehen, die einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom und erhöhte Betriebstemperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 80 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromlasten
• Niedrige Rds(on) von 23 mΩ minimiert Leitungsverluste
• 115 nC typische Gate-Ladung gleicht Schalt- und Antriebsenergie aus
• Maximale Verlustleistung von 340 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Gate-Toleranz Vgs±20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Margen
• 80 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromlasten
• Niedrige Rds(on) von 23 mΩ minimiert Leitungsverluste
• 115 nC typische Gate-Ladung gleicht Schalt- und Antriebsenergie aus
• Maximale Verlustleistung von 340 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Gate-Toleranz Vgs±20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Serverversorgungsschienen verwendet
• Ideal für Motorantriebsstufen, die eine P-Kanal-Schaltung erfordern
• Kann für Batterieschutz- und Lastschalterkreise verwendet werden
• Geeignet für thermisch belastete Umgebungen bis zu 175 °C
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Serverversorgungsschienen verwendet
• Ideal für Motorantriebsstufen, die eine P-Kanal-Schaltung erfordern
• Kann für Batterieschutz- und Lastschalterkreise verwendet werden
• Geeignet für thermisch belastete Umgebungen bis zu 175 °C
Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, was den Einsatz in Hochtemperatursystemen ermöglicht.
Wie sollte die Wärme gesteuert werden, wenn die maximale Verlustleistung erreicht wird?
Um die Grenze von 340 W zu bewältigen, befestigen Sie einen geeigneten Kühlkörper an der TO-220-Fahne und sorgen Sie für einen ausreichenden Luftstrom, um die Sperrschichttemperatur zu senken.
Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus dem Gate-Ladungswert?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 115 nC müssen die Treiber genügend Strom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit liefern, wobei die erhöhte Antriebsenergie und mögliche Schaltverluste berücksichtigt werden.
Wie wirkt sich die Polarität des Geräts auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?
Als P-Kanal-Verbesserungsgerät wird er in der Regel auf der oberen Seite von Leistungspfaden eingesetzt, wo die Gate-Spannung für das Einschalten niedriger als die Quelle gezogen werden kann.
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