Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-220

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Distrelec-Artikelnummer:
304-37-850
Herst. Teile-Nr.:
SPP80P06PHXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.95mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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