Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin BSP171PH6327XTSA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 167-942
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP171PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSP171PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.5 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-976 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.5 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-976 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP171PH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert und nutzt die P-Kanal-Technologie. Die SIPMOS®-Technologie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in einem kompakten SOT-223-Gehäuse und macht ihn zu einer geeigneten Option für Automobil- und Industrieanwendungen. Der Dauerstrom von 1,9 A und die maximale Spannung von 60 V erhöhen die Effektivität bei der effizienten Verwaltung des Stroms für verschiedene Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• P-Kanal-Konfiguration unterstützt Low-Side-Schaltanwendungen
• Betrieb im Erweiterungsmodus fördert effiziente Leistung
• Oberflächenmontiertes Design spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte
• Ausgelegt für hohe Temperaturen bis zu +150°C, was eine lange Lebensdauer gewährleistet
• Niedriger Rds(on) vermindert die Verlustleistung beim Schalten
Anwendungsbereich
• Lastschaltung in der Automobilelektronik
• Energiemanagement-Schaltungen für Energieeffizienz
• Hochfrequenz die ein schnelles Umschalten erfordern
• Antriebslasten in Geräten der Unterhaltungselektronik
• Stromversorgungsschaltungen, die kompakte Lösungen erfordern
Wie hoch ist die maximale Drain-Source-Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?
Das Bauteil verträgt eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und ist damit für verschiedene Anwendungen geeignet.
Wie verhält sich dieses Bauteil bei erhöhten Temperaturen?
Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von bis zu +150°C und bietet Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Kann es in batteriebetriebenen Schaltkreisen verwendet werden?
Ja, sein niedriger Rds(on) reduziert die Verlustleistung erheblich, wodurch er sich gut für batteriebetriebene Geräte eignet.
Welche Bedeutung hat die Lawineneinstufung?
Die Avalanche-Einstufung bedeutet, dass das Gerät Energiespitzen absorbieren kann, was seine Haltbarkeit und Zuverlässigkeit bei Transienten erhöht.
Wie kann ich den ordnungsgemäßen Einbau auf der Leiterplatte sicherstellen?
Es ist wichtig, die Abmessungsspezifikationen für das SOT-223-Gehäuse einzuhalten und während der Installation ein angemessenes Wärmemanagement durchzuführen.
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