Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 165-5812
Herst. Teile-Nr.:: BSP322PH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-5812
Herst. Teile-Nr.:: BSP322PH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	800mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12.4nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Durchlassspannung Vf	0.84V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.5mm
	Höhe	1.6mm
	Länge	6.5mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie SIPMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Durchlassspannung Vf 0.84V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.5mm
	Höhe 1.6mm
	Länge 6.5mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP322PH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochspannungs-P-Kanal-Schaltvorgänge, bei denen eine kompakte Gehäuseform und Robustheit in Automobilqualität erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 100 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 800 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige bis moderate Ströme
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W ermöglicht eine stabile Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 12,4 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V sorgt für sicheren Antriebsspielraum

Anwendungsbereich

• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Kfz-Elektronikmodulen
• Ideal für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Wird für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen verwendet
• Kann zur Vermeidung von Rückstrom in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsumwandlungsstufen

Welchen Temperaturbereich kann er im Feld vertragen?

Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich daher für raue thermische Umgebungen.

Wie viele Stifte und Montagearten sollten Designer erwarten?

Das Gerät verfügt über vier Pins und ist für die Oberflächenmontage in einer SOT-223-Grundfläche vorgesehen.

Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen die Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit?

Die Gate-Ladung von 12,4 nC zeigt die am Gate erforderliche Ladung an und informiert über die Auswahl von Gate-Treibern und Antriebszeit.

Welche mechanischen Ummantelungsabmessungen sind für die Layout-Planung wichtig?

Die Komponente misst 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, was die Grundfläche und den Abstand erleichtert.