Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 826-9279
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP322PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF 39.40
Auf Lager
- 700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.788 | CHF 39.44 |
| 100 - 200 | CHF 0.606 | CHF 30.35 |
| 250 - 450 | CHF 0.566 | CHF 28.38 |
| 500 - 1200 | CHF 0.525 | CHF 26.41 |
| 1250 + | CHF 0.485 | CHF 24.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9279
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP322PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP322PH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochspannungs-P-Kanal-Schaltvorgänge, bei denen eine kompakte Gehäuseform und Robustheit in Automobilqualität erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 800 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige bis moderate Ströme
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W ermöglicht eine stabile Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 12,4 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V sorgt für sicheren Antriebsspielraum
• 800 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige bis moderate Ströme
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W ermöglicht eine stabile Leistungsaufnahme
• Typische Gate-Ladung von 12,4 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V sorgt für sicheren Antriebsspielraum
Anwendungsbereich
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Kfz-Elektronikmodulen
• Ideal für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Wird für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen verwendet
• Kann zur Vermeidung von Rückstrom in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Wird für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Systemen verwendet
• Kann zur Vermeidung von Rückstrom in Gleichstromschienen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsumwandlungsstufen
Welchen Temperaturbereich kann er im Feld vertragen?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich daher für raue thermische Umgebungen.
Wie viele Stifte und Montagearten sollten Designer erwarten?
Das Gerät verfügt über vier Pins und ist für die Oberflächenmontage in einer SOT-223-Grundfläche vorgesehen.
Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen die Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit?
Die Gate-Ladung von 12,4 nC zeigt die am Gate erforderliche Ladung an und informiert über die Auswahl von Gate-Treibern und Antriebszeit.
Welche mechanischen Ummantelungsabmessungen sind für die Layout-Planung wichtig?
Die Komponente misst 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, was die Grundfläche und den Abstand erleichtert.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.6 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223