Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
911-4827
Herst. Teile-Nr.:
BSP295H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP295H6327XTSA1


Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik entwickelt. Seine N-Kanal-Konfiguration in Verbindung mit einer effizienten Oberflächenmontage ermöglicht eine effektive Stromregelung, wodurch er sich für eine Reihe von industriellen Anwendungen eignet. Er unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung für verschiedene Projekte.

Eigenschaften und Vorteile


• Bewältigt kontinuierlich einen Ableitstrom von 1,8 A

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 300 mΩ

• Großer Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V

• Qualifiziert nach AEC-Q101 Automobilstandard für Zuverlässigkeit

Anwendungsbereich


• Energiemanagementsysteme für eine effiziente Leistungssteuerung

• Motorantriebe für zuverlässige Schaltvorgänge

• Signalverstärkung in verschiedenen elektronischen Geräten

• Elektronische Steuergeräte für Kraftfahrzeuge

Wie hoch ist die typische Verlustleistung des Bauteils?


Es kann unter bestimmten Bedingungen bis zu 1,8 W ableiten und sorgt so für ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 1,8 V, wodurch der MOSFET auch bei niedrigen Eingangspegeln eine optimale Leistung erzielen kann.

Kann dieses Bauteil gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, er ist für einen gepulsten Ableitstrom von bis zu 6 A ausgelegt, so dass er transiente Bedingungen effektiv bewältigen kann.

Welche Verpackungsmöglichkeiten gibt es?


Der MOSFET ist in einem oberflächenmontierbaren SOT-223-Gehäuse erhältlich, das für platzsparende Designs optimiert ist.

Entspricht das Gerät den Umweltnormen?


Es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und entspricht der RoHS-Richtlinie und erfüllt damit die aktuellen Umweltvorschriften.

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