Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.6 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-2816
Herst. Teile-Nr.:
BSP318SH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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