Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
911-0929
Herst. Teile-Nr.:
BSP297H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

660mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.84V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 660 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP297H6327XTSA1


Dieser MOSFET wurde für eine effiziente Schaltleistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 660 mA und einer Durchbruchspannung von 200 V ist er für den Einsatz in verschiedenen Umgebungen geeignet. Sein oberflächenmontierbares Design vereinfacht die Integration in automatisierte Systeme, so dass er sowohl im Elektronik- als auch im Automobilsektor eingesetzt werden kann.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Schalteffizienz

• Niedrige Gate-Schwellenspannung gewährleistet Kompatibilität mit Logikpegeln

• Hohe Spannungswerte für eine Vielzahl von Anwendungen

• Verbesserte Verlustleistungsfähigkeit unterstützt effektives Wärmemanagement

• AEC-Q101-Qualifikation entspricht den Standards der Automobilindustrie

• Kompaktes SOT-223-Gehäuse unterstützt platzsparende Designs

Anwendungsbereich


• Wird für die Motorsteuerung in Automobilsystemen verwendet

• Angewandt im Energiemanagement für Unterhaltungselektronik

• Einsatz in Batteriemanagementsystemen zur Energieregulierung

• Einsatz bei der Signalverstärkung in Kommunikationsgeräten

• Ideal für Schaltnetzteile, die den Wirkungsgrad verbessern

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für eine optimale Leistung?


Das Bauteil kann bei Temperaturen von bis zu +150°C effektiv arbeiten und gewährleistet Stabilität unter Hochtemperaturbedingungen.

Wie sollte der MOSFET installiert werden, um optimale Ergebnisse zu erzielen?


Verwendung der Oberflächenmontagetechnologie für die Installation auf einer kompatiblen Leiterplatte, wobei eine korrekte Lötung zur Aufrechterhaltung der Verbindungsintegrität gewährleistet ist.

Aus welchen Materialien ist dieser MOSFET hergestellt?


Es besteht aus Silizium (Si), was zu seiner Leistung und Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen beiträgt.

Hält es während des Betriebs starken Spannungsschwankungen stand?


Ja, er hat eine maximale Drain-Source-Durchbruchsspannung von 200 V und ist damit für Hochspannungsanwendungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf seine Leistung aus?


Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 12,9 nC bei 10 V, was schnelle Schaltzeiten und eine verbesserte Schaltungseffizienz gewährleistet.

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