Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 911-4808
Herst. Teile-Nr.:: BSP149H6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: BSP149H6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	660mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Serie	SIPMOS
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.8Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.6mm
	Breite	3.5mm
	Länge	6.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 660mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Serie SIPMOS
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.6mm
	Breite 3.5mm
	Länge 6.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: MY

MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 660 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP149H6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein wichtiges Bauteil für eine Reihe von elektronischen Anwendungen und bietet eine effiziente Leistung in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage. Es eignet sich gut für die Steuerung von Automatisierungsschaltungen und ist für Anwender aus den Bereichen Elektronik, Elektrik und Mechanik relevant. Die Verarmungsmodus-Charakteristik verbessert die Steuerung bei Schaltanwendungen und macht ihn zu einer geeigneten Wahl für Ingenieure.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V für Hochspannungsanwendungen

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von bis zu 660 mA

• Nutzt die SIPMOS-Technologie für gleichbleibende Leistung

• RoHS-konform mit Pb-freier Bleibeschichtung

• dv/dt-Bewertung für verbesserte Widerstandsfähigkeit gegen Spannungsschwankungen

Anwendungsbereich

• Treiber in Automatisierungssystemen

• Schaltnetzteile für das Energiemanagement

• Automobilelektronik gemäß AEC-Q101-Normen

Welche Bedeutung hat die Charakteristik des Verarmungsmodus?

Der Verarmungsmodus ermöglicht eine effiziente Steuerung des MOSFETs, wodurch ein effektives Schalten auch bei niedrigeren Spannungen möglich ist, was in verschiedenen elektronischen Designs von Vorteil ist.

Wie bewältigt das Gerät thermische Herausforderungen?

Er funktioniert in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet selbst unter extremen thermischen Bedingungen eine zuverlässige Leistung, die durch seine effektiven Wärmemanagementfähigkeiten unterstützt wird.

Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von -2,1V bis -1V und bietet vielseitige Schaltmöglichkeiten für unterschiedliche Schaltungsanforderungen.

Welche Auswirkungen hat die ESD-Klasseneinstufung?

Die Einstufung in die ESD-Klasse 1B bedeutet, dass das Design elektrostatischen Entladungen zwischen 500 V und 600 V standhalten kann, was die Zuverlässigkeit des Geräts in empfindlichen Anwendungen erhöht.