Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin BSP129H6327XTSA1 SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.2.625

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 205 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.525CHF.2.62
50 - 120CHF.0.462CHF.2.33
125 - 245CHF.0.431CHF.2.16
250 - 495CHF.0.399CHF.2.01
500 +CHF.0.378CHF.1.89

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-2800
Herst. Teile-Nr.:
BSP129H6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links