Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin BSP89H6327XTSA1 SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.2.155

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 435 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 920 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.431CHF.2.13
50 - 245CHF.0.389CHF.1.96
250 - 495CHF.0.368CHF.1.83
500 - 1245CHF.0.336CHF.1.70
1250 +CHF.0.315CHF.1.58

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
445-2281
Herst. Teile-Nr.:
BSP89H6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP89H6327XTSA1


Dieser MOSFET ist eine Schlüsselkomponente für elektronische Hochspannungsanwendungen und bietet effektive Schaltfunktionen. Durch die Verwendung der N-Kanal-Enhancement-Mode-Technologie ist er für die Automobil- und Industrieelektronik geeignet und gewährleistet einen effizienten Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Das SOT-223-Gehäuse ermöglicht eine vielseitige Oberflächenmontage und eignet sich daher für moderne Schaltungsdesigns.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 350 mA

• Hohe Drain-Source-Spannung von 240 V für erhöhte Sicherheit

• Niedrige Gate-Schwellenspannung verbessert die Empfindlichkeit

• Verlustleistung von bis zu 1,8 W

• Ideal für Anwendungen auf Logikebene mit schnellen Schaltzeiten

Anwendungsbereich


• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik

• MOSFET-basierte Schaltnetzteile

• Signalverstärkung in elektronischen Schaltungen

Wie groß ist der maximale Temperaturbereich für den Betrieb?


Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?


Eine niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht es dem MOSFET, bei niedrigeren Eingangsspannungen zu aktivieren, was den Wirkungsgrad in batteriebetriebenen Geräten erhöht.

Welche Art der Befestigung ist mit diesem Gerät kompatibel?


Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage in einem SOT-223-Gehäuse ausgelegt, was eine einfache Integration in Leiterplatten ermöglicht.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 1,4 A bewältigen und bietet damit zusätzliche Flexibilität für Burst-Power-Anwendungen.

Ist es für die Verwendung mit Mikrocontrollern geeignet?


Ja, seine Kompatibilität auf Logikebene ermöglicht die direkte Verbindung mit Mikrocontroller-Ausgängen für eine effektive Steuerung.

Verwandte Links