Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 170 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
165-5810
Herst. Teile-Nr.:
BSP324H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.54nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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