Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 170 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er dient als Schalt- oder Steuerelement in Schaltkreisen, die ein Enhancement-Modus-Gerät erfordern, das mit erheblichen Drain-Source-Spannungen und einer Qualifizierung auf Automotive-Ebene umgehen kann. Das Gerät ist in einem kompakten SOT-223-Gehäuse untergebracht, das sich für leiterplattenmontierte Anwendungen eignet, bei denen thermische und elektrische Leistung im Gleichgewicht stehen müssen.

• Die Nennleistung von 400 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Maximale Rds(on) von 25 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 170 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Aufgaben mit geringer Signalstromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für mäßige thermische Belastungen
• Die typische Gate-Ladung von 4,54 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge mit weniger Antriebsenergie
• Die Durchlassspannung von 0,8 V verbessert die Diodenabfall-Effizienz bei Schaltvorgängen

• Geeignet für Hilfsschaltkreise in der Automobilelektronik
• Ideal für die Hochspannungssteuerung in Stromversorgungs-Snubber-Netzwerken
• Wird mit Gate-Treibern für Schaltstufen mit geringem Stromverbrauch verwendet
• Kann für den Lastschutz in Sensormodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen in kompakten Leistungsdesigns

Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C für den Einsatz in thermisch unterschiedlichen Anlagen.

Das Gerät wird mit vier Stiften geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen.

Der Gate-Antrieb muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, um die maximale Gate-Source-Nennleistung nicht zu überschreiten.

Der Transistor wird in einem SOT-223-Gehäuse mit Gesamtabmessungen von 6,5 x 3,5 x 1,6 mm für die Leiterplatten-Layoutplanung geliefert.