Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 911-4791
Herst. Teile-Nr.:: BSP171PH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF 242.00

Auf Lager

19'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	CHF 0.242	CHF 239.37

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 911-4791
Herst. Teile-Nr.:: BSP171PH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	SIPMOS
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	300mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.6mm
	Länge	6.5mm
	Breite	3.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie SIPMOS
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.6mm
	Länge 6.5mm
	Breite 3.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: MY

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP171PH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert und nutzt die P-Kanal-Technologie. Die SIPMOS®-Technologie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in einem kompakten SOT-223-Gehäuse und macht ihn zu einer geeigneten Option für Automobil- und Industrieanwendungen. Der Dauerstrom von 1,9 A und die maximale Spannung von 60 V erhöhen die Effektivität bei der effizienten Verwaltung des Stroms für verschiedene Anwendungen.

Eigenschaften und Vorteile

• P-Kanal-Konfiguration unterstützt Low-Side-Schaltanwendungen

• Betrieb im Erweiterungsmodus fördert effiziente Leistung

• Oberflächenmontiertes Design spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte

• Ausgelegt für hohe Temperaturen bis zu +150°C, was eine lange Lebensdauer gewährleistet

• Niedriger Rds(on) vermindert die Verlustleistung beim Schalten

Anwendungsbereich

• Lastschaltung in der Automobilelektronik

• Energiemanagement-Schaltungen für Energieeffizienz

• Hochfrequenz die ein schnelles Umschalten erfordern

• Antriebslasten in Geräten der Unterhaltungselektronik

• Stromversorgungsschaltungen, die kompakte Lösungen erfordern

Wie hoch ist die maximale Drain-Source-Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?

Das Bauteil verträgt eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und ist damit für verschiedene Anwendungen geeignet.

Wie verhält sich dieses Bauteil bei erhöhten Temperaturen?

Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von bis zu +150°C und bietet Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

Kann es in batteriebetriebenen Schaltkreisen verwendet werden?

Ja, sein niedriger Rds(on) reduziert die Verlustleistung erheblich, wodurch er sich gut für batteriebetriebene Geräte eignet.

Welche Bedeutung hat die Lawineneinstufung?

Die Avalanche-Einstufung bedeutet, dass das Gerät Energiespitzen absorbieren kann, was seine Haltbarkeit und Zuverlässigkeit bei Transienten erhöht.

Wie kann ich den ordnungsgemäßen Einbau auf der Leiterplatte sicherstellen?

Es ist wichtig, die Abmessungsspezifikationen für das SOT-223-Gehäuse einzuhalten und während der Installation ein angemessenes Wärmemanagement durchzuführen.