Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 92 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9001
Herst. Teile-Nr.:: IRF540ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 92 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 200	CHF.0.473	CHF.23.42
250 - 450	CHF.0.462	CHF.22.84
500 - 1200	CHF.0.441	CHF.22.21
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*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 124-9001
Herst. Teile-Nr.:: IRF540ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	36A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	27mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Maximale Verlustleistung Pd	92W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.54mm
	Breite	4.69 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Maximale Verlustleistung Pd 92W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.54mm
	Breite 4.69 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 36A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100V maximale Drain-Source-Spannung - IRF540ZPBF

Dieser MOSFET ist für eine hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Das TO-220AB-Gehäuse kann einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 36 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V verarbeiten und gewährleistet eine effektive Wärmeableitung und Stabilität. Mit einer maximalen Verlustleistung von 92 W ist dieser N-Kanal-Baustein besonders für anspruchsvolle Aufgaben in der Elektro- und Maschinenbauindustrie geeignet.

Eigenschaften und Vorteile

• Verwendet HEXFET-Technologie für verbesserte Effizienz

• Niedriger Rds(on) von 26,5mΩ minimiert den Leistungsverlust

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die betriebliche Effizienz

• Unterstützt den Erweiterungsmodus für zuverlässige Leistung

• Entwickelt, um wiederkehrende Lawinenbedingungen zu bewältigen

Anwendungen

• Für die Motorsteuerung und das Leistungsmanagement

• Ideal für Schaltnetzteile und Wandler

• Geeignet für Kraftfahrzeuge, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern

• Implementiert in industriellen Automatisierungssystemen

• Wirksam in elektronischen Geräten, die robuste Leistung erfordern

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert für seine Leistung?

Der niedrige Rds(on)-Wert reduziert die Leitungsverluste, was zu einer höheren Effizienz im Betrieb führt. Sie ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung, die bei Hochstromanwendungen entscheidend ist.

Wie wirkt sich die maximale Drain-Source-Spannung auf die Betriebssicherheit aus?

Die Drain-Source-Spannung von 100 V bietet einen beträchtlichen Sicherheitsspielraum für Anwendungen, der einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Spannungsbedingungen gewährleistet und somit einen Ausfall verhindert.

Kann dieser MOSFET mit hohen Temperaturen umgehen?

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175 °C ist er für den zuverlässigen Betrieb unter Hochtemperaturbedingungen ausgelegt und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen in der Automobilindustrie und für industrielle Anwendungen.