Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A, 3-Pin TO-220

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260-5936
Herst. Teile-Nr.:
IRF135B203
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

129A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse

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