Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.80.35

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.607CHF.80.48
100 - 200CHF.1.418CHF.71.09
250 - 450CHF.1.386CHF.69.25
500 - 950CHF.1.344CHF.67.46
1000 +CHF.1.313CHF.65.78

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-5935
Herst. Teile-Nr.:
IRF135B203
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

129A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse

Verwandte Links