Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-5924
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR8743TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5924
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR8743TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 160A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 135W maximale Verlustleistung - IRLR8743TRPBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Automatisierung und Elektronik konzipiert. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie wird eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit beim Energiemanagement erreicht. Aufgrund seiner Fähigkeit, hohe Dauerabflussströme zu bewältigen, eignet er sich für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Bewältigt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 160 A für solide Leistung
• Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V für einen zuverlässigen Betrieb
• Niedriger Rds(on)-Wert von 3,9mΩ minimiert Leistungsverluste
• Entwickelt als Anreicherungstransistor zur Verbesserung der Schalteffizienz
• Oberflächenmontage ermöglicht eine einfache Integration in Schaltungsdesigns
• Ausgelegt für hohe Betriebstemperaturen von bis zu +175°C für verbessertes Wärmemanagement
Anwendungsbereich
• Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler in Computer-Stromversorgungen
• Isolierte DC-DC-Wandler in Telekommunikationssystemen
• Industrielle Energiemanagement- und Automatisierungssysteme
• Bauelemente, die niedrige Gate-Schwellenspannungen für effizientes Schalten erfordern
• Verschiedene elektronische Geräte, die eine kompakte Stromversorgungslösung erfordern
Welchen Einfluss haben hohe Temperaturen auf die Leistung des Systems?
Durch den Betrieb bei erhöhten Temperaturen wird die thermische Leistung verbessert, so dass hohe Leistungen effektiv bewältigt werden können und die Stabilität unter schwierigen Bedingungen gewährleistet ist.
Wie verbessert diese Technologie die Effizienz von elektronischen Geräten?
Die HEXFET-Technologie reduziert die Leistungsverluste aufgrund ihres niedrigen Rds(on) erheblich, so dass die Bauelemente auch unter hohen Lasten effizient arbeiten und weniger Wärme erzeugen.
Kann es in Verbindung mit anderen Halbleitern verwendet werden?
Ja, er kann mit anderen Halbleiterkomponenten in Mixed-Signal-Schaltungen integriert werden, was die Gesamtfunktionalität und Leistung der Schaltung verbessert.
Welche Bedeutung hat das oberflächenmontierte Design?
Das oberflächenmontierbare Design unterstützt die kompakte Montage auf Leiterplatten, verbessert das Wärmemanagement und optimiert den Platzbedarf in elektronischen Anwendungen.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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