Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP2907ZPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.3.402 | CHF.85.16 |
| 50 - 100 | CHF.2.793 | CHF.69.83 |
| 125 - 225 | CHF.2.625 | CHF.65.57 |
| 250 - 475 | CHF.2.52 | CHF.63.00 |
| 500 + | CHF.2.415 | CHF.60.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP2907ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.3 mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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