Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 165-8165
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP1405PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 2.778 | CHF 69.39 |
| 50 - 100 | CHF 2.636 | CHF 65.93 |
| 125 - 225 | CHF 2.525 | CHF 63.15 |
| 250 - 475 | CHF 2.414 | CHF 60.38 |
| 500 + | CHF 2.252 | CHF 56.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8165
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP1405PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.31mm | |
| Länge | 15.29mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 19.71mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.31mm | ||
Länge 15.29mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 19.71mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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