Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 919-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP150NPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 1.626 | CHF 40.72 |
| 50 - 100 | CHF 1.545 | CHF 38.70 |
| 125 - 225 | CHF 1.485 | CHF 37.07 |
| 250 - 600 | CHF 1.414 | CHF 35.45 |
| 625 + | CHF 1.323 | CHF 32.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP150NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 42A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 160W maximale Verlustleistung - IRFP150NPBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bewältigt er effektiv große Leistungslasten, was ihn zu einer Schlüsselkomponente in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Power-Management-Systemen macht. Seine Fähigkeit, in einem breiten Temperaturbereich zu funktionieren, erhöht seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 42A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V
• Niedriger Rds(on) von 36mΩ für verbesserte Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 160 W
• Nutzt den Erweiterungsmodus für einen verbesserten Betrieb
• Integriert in ein TO-247AC-Gehäuse für einfache Montage
Anwendungsbereich
• Verwendet in Stromversorgungsschaltungen für Automatisierungsgeräte
• Geeignet für Motorsteuerung in Industriemaschinen
• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen zur effektiven Energieumwandlung
• Einsetzbar für Hochfrequenzschaltungen in der Telekommunikation
Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?
Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen bis zu +175°C und ermöglicht den Einsatz unter schwierigen Bedingungen.
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die er verarbeiten kann?
Der Baustein ist für eine maximale Gate-Source-Spannung von -20V und +20V ausgelegt und bietet vielfältige Möglichkeiten für das Schaltungsdesign.
Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Leistung aus?
Ein niedriger Rds(on) minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz und das Wärmemanagement.
Ist es für die Durchgangslochmontage geeignet?
Ja, das TO-247AC-Gehäuse ist speziell für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen.
Was sollte bei der Installation beachtet werden?
Stellen Sie sicher, dass das Gerät während des Betriebs ausreichend gekühlt wird, um eine optimale Leistung zu gewährleisten und eine Überhitzung zu vermeiden.
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