Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 919-4873
Herst. Teile-Nr.:: IRFP150NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 919-4873
Herst. Teile-Nr.:: IRFP150NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	42A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	36mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	110nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	160W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.9mm
	Breite	5.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	20.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 160W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.9mm
	Breite 5.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 20.3mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 42A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 160W maximale Verlustleistung - IRFP150NPBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bewältigt er effektiv große Leistungslasten, was ihn zu einer Schlüsselkomponente in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Power-Management-Systemen macht. Seine Fähigkeit, in einem breiten Temperaturbereich zu funktionieren, erhöht seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 42A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V

• Niedriger Rds(on) von 36mΩ für verbesserte Effizienz

• Maximale Verlustleistung von 160 W

• Nutzt den Erweiterungsmodus für einen verbesserten Betrieb

• Integriert in ein TO-247AC-Gehäuse für einfache Montage

Anwendungsbereich

• Verwendet in Stromversorgungsschaltungen für Automatisierungsgeräte

• Geeignet für Motorsteuerung in Industriemaschinen

• Einsatz in erneuerbaren Energiesystemen zur effektiven Energieumwandlung

• Einsetzbar für Hochfrequenzschaltungen in der Telekommunikation

Kann das Produkt in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?

Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen bis zu +175°C und ermöglicht den Einsatz unter schwierigen Bedingungen.

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die er verarbeiten kann?

Der Baustein ist für eine maximale Gate-Source-Spannung von -20V und +20V ausgelegt und bietet vielfältige Möglichkeiten für das Schaltungsdesign.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Leistung aus?

Ein niedriger Rds(on) minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz und das Wärmemanagement.

Ist es für die Durchgangslochmontage geeignet?

Ja, das TO-247AC-Gehäuse ist speziell für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen.

Was sollte bei der Installation beachtet werden?

Stellen Sie sicher, dass das Gerät während des Betriebs ausreichend gekühlt wird, um eine optimale Leistung zu gewährleisten und eine Überhitzung zu vermeiden.