Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin IRF1310NSTRLPBF TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRF1310NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.197in

Länge

14.173in

Normen/Zulassungen

EIA 418

Breite

1.079 in

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-39-412

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Leistungspaket, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Vollständig lawinengeprüft

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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