Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 215-2571
Herst. Teile-Nr.:: IRF1310NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 215-2571
Herst. Teile-Nr.:: IRF1310NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	42A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	36mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	160W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	110nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	14.173in
	Höhe	1.197in
	Breite	1.079 in
	Normen/Zulassungen	EIA 418
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 160W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 14.173in
	Höhe 1.197in
	Breite 1.079 in
	Normen/Zulassungen EIA 418
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF1310NSTRLPBF

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Leistungspaket, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Vollständig lawinengeprüft

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263

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