Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 919-4808
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP064NPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 5.3 mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 110A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRFP064NPBF
Dieser MOSFET ist ein hochleistungsfähiges elektronisches Bauteil, das für ein effizientes Energiemanagement entwickelt wurde. Er kann einen kontinuierlichen Drain-Strom von 110 A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V verarbeiten und eignet sich daher für den Einsatz in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie. Das Enhancement-Mode-Design gewährleistet optimale Leistung unter verschiedenen Bedingungen und unterstreicht damit seine Rolle in modernen elektronischen Systemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand von 8 mΩ verbessert die Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 200 W gewährleistet robusten Betrieb
• Geeignet für Betriebstemperaturen bis zu +175°C
• Vielseitig, kompatibel mit sowohl negativen als auch positiven Gate-Source-Spannungen
• Einzelne Transistorkonfiguration unterstützt eine Vielzahl von Anwendungen
Anwendungsbereich
• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern
• Häufig in Motorsteuerungssystemen für die Automatisierung
• Geeignet für Telekommunikationsgeräte
• Effektiv in Energieumwandlungssystemen in industriellen Umgebungen
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung für dieses Bauteil?
Die maximale Verlustleistung beträgt 200 W, was eine robuste Leistung bei verschiedenen Anwendungen ermöglicht.
Kann es in Umgebungen mit hohen Temperaturen arbeiten?
Ja, es kann bei Temperaturen von bis zu +175°C effektiv arbeiten und ist damit für schwierige Bedingungen geeignet.
Welche Art von Gate-Spannung ist für den Betrieb erforderlich?
Dieser Baustein arbeitet mit einem maximalen Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V und ermöglicht so flexible Steuerungsoptionen.
Welchen Einfluss hat der Kanaltyp auf seine Leistung?
Der N-Kanal-Typ ist vorteilhaft für Anwendungen, die effizientes Schalten und hohe Strombelastbarkeit erfordern.
Eignet sie sich für die Integration von Durchgangsbohrungen?
Ja, er hat ein TO-247AC-Gehäuse mit Durchsteckmontage, was die Installation in verschiedenen Konfigurationen vereinfacht.
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