Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin IRFP4332PBF TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4332PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.78.225
Auf Lager
- 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF.3.129 | CHF.78.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4332PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.3 mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin IRFP3710PBF TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin IRFP3006PBF TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin IRFP3415PBF TO-247
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 150 V / 316 A TO-247