Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4332PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.78.225
Vorübergehend ausverkauft
- 400 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF.3.129 | CHF.78.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4332PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.3 mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 57 W, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-220