Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.43.425

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 350 Einheit(en) mit Versand ab 04. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 25CHF 1.737CHF 43.51
50 - 100CHF 1.444CHF 36.11
125 - 225CHF 1.404CHF 35.10
250 - 475CHF 1.384CHF 34.66
500 +CHF 1.374CHF 34.26

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-9015
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4229PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

46mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3mm

Höhe

20.3mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


Motorsteuerungs-MOSFET


Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET


Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.