Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 688-7020
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4768PBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFP4768PBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.31 mm | ||
Höhe 20.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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