Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 130 A 520 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9022
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4668PBF
- Marke:
- Infineon
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- 124-9022
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- IRFP4668PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 161nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 161nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200V maximale Drain-Source-Spannung - IRFP4668PBF
Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen leistungsstarken N-Kanal-Baustein, der für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt wurde. Seine Abmessungen betragen 15,87 mm in der Länge, 5,31 mm in der Breite und 20,7 mm in der Höhe, untergebracht in einem TO-247AC-Gehäuse. Mit seinen robusten Spezifikationen, zu denen ein maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 130 A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 200 V gehören, ist er ideal für anspruchsvolle elektrische Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte Body-Diode für verbesserte Schaltleistung
• Niedriger Rds(on) von 10mΩ minimiert den Leistungsverlust
• Hoher Wirkungsgrad in Synchrongleichrichterschaltungen
• Erhöhte Robustheit unter dynamischen dV/dt-Bedingungen
• Vollständig charakterisierte Avalanche und thermische Leistung für Zuverlässigkeit
Anwendungen
• Einsatz in Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
• Ideal für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen
• Anwendbar in verschiedenen Automatisierungs- und industriellen Energiesystemen
Was sind die thermischen Werte für einen sicheren Betrieb?
Die maximale Verlustleistung beträgt 520 W bei 25 °C, und die Sperrschichttemperatur sollte 175 °C nicht überschreiten, um einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Funktionalität aus?
Die Gate-Schwellenspannung reicht von 3V bis 5V, was eine effiziente Steuerung während der Schaltvorgänge ermöglicht, was für eine zuverlässige Leistung in Leistungsanwendungen entscheidend ist.
Kann dieser MOSFET hohe Impulsstromlasten bewältigen?
Ja, er ist für einen gepulsten Ableitstrom von bis zu 520 A ausgelegt und eignet sich damit für Hochleistungsanwendungen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.
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