Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9.1 A 2 W, 8-Pin SOIC IRF7907TRPBF

RS Best.-Nr.:: 130-0964
Distrelec-Artikelnummer:: 304-36-987
Herst. Teile-Nr.:: IRF7907TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9.1 A 2 W, 8-Pin SOIC IRF7907TRPBF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.7.35

Auf Lager

Zusätzlich 4’210 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	CHF.0.735	CHF.7.33
50 - 90	CHF.0.693	CHF.6.96
100 - 240	CHF.0.546	CHF.5.50
250 - 490	CHF.0.378	CHF.3.83
500 +	CHF.0.378	CHF.3.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 130-0964
Distrelec-Artikelnummer:: 304-36-987
Herst. Teile-Nr.:: IRF7907TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	20.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Höhe	1.5mm
	Breite	4 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Höhe 1.5mm
	Breite 4 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9.1 A 2 W, 8-Pin SOIC IRF7907TRPBF

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

MOSFET-Transistoren, Infineon

Verwandte Links