Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-4608
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7103QTR
- Marke:
- Infineon
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CHF.16.07
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.607 | CHF.16.06 |
| 100 - 240 | CHF.1.523 | CHF.15.25 |
| 250 - 490 | CHF.1.46 | CHF.14.61 |
| 500 - 990 | CHF.1.397 | CHF.13.98 |
| 1000 + | CHF.1.302 | CHF.13.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4608
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7103QTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
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