Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF
- RS Best.-Nr.:
- 215-2586
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.22.26
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.1.113 | CHF.22.28 |
| 100 - 180 | CHF.1.061 | CHF.21.17 |
| 200 - 480 | CHF.1.019 | CHF.20.29 |
| 500 - 980 | CHF.0.966 | CHF.19.38 |
| 1000 + | CHF.0.903 | CHF.18.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2586
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Er verfügt über einen synchronen Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für Anwendungen in Netzwerk- und Computersystemen.
RoHS-kompatibel
Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
Besonders niedrige Gate-Impedanz
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