Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 215-2584
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2584
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Er verfügt über einen synchronen Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für Anwendungen in Netzwerk- und Computersystemen.
RoHS-kompatibel
Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
Besonders niedrige Gate-Impedanz
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