Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
215-2584
Herst. Teile-Nr.:
IRF7831TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Er verfügt über einen synchronen Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für Anwendungen in Netzwerk- und Computersystemen.

RoHS-kompatibel

Branchenführende Qualität

Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS

Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben

Besonders niedrige Gate-Impedanz

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