Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.1 A 2 W, 8-Pin SOIC

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304-36-992
Herst. Teile-Nr.:
IRL6372TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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