Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 130-0966
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-988
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8010STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.865
Auf Lager
- 615 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.2.573 | CHF.12.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0966
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-988
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8010STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 260 A 370 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 105 A, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V 380 W, 7-Pin TO-263-7
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220