Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin IRFR7546TRPBF TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IRFR7546TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

71A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

99W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 71A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 99W maximale Verlustleistung - IRFR7546TRPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET wurde für verschiedene Anwendungen entwickelt, die ein effizientes Power-Management erfordern. Mit seinen robusten Spezifikationen eignet er sich gut für Szenarien, die eine lange Lebensdauer und hohe Strombelastbarkeit erfordern. Es wird häufig in Automatisierungs- und Elektroanwendungen eingesetzt und zeichnet sich durch außergewöhnliche Leistungsmerkmale in unterschiedlichen Umgebungen aus.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 71A

• Ausgelegt für eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V

• Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz der Stromversorgung

• DPAK-Gehäuse für die einfache Oberflächenmontage

• Hohe Verlustleistung verbessert das Wärmemanagement

• Enhancement-Mode-Betrieb optimiert die Schaltleistung

Anwendungsbereich


• Geeignet für Bürstenmotorantrieb

• Nützlich bei der Entwicklung batteriebetriebener Schaltungen

• Eingesetzt in Halb- und Vollbrückentopologien

• Wirksam im Synchrongleichrichter

• Anwendung in DC/DC- und AC/DC-Leistungsumwandlungssystemen

Was ist die thermische Spezifikation für den Dauerbetrieb?


Es unterstützt eine maximale Verlustleistung von 99 W, die unter geeigneten Bedingungen einen effizienten Betrieb ohne Überhitzung gewährleistet.

Wie verhält sie sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?


Der Baustein arbeitet effizient bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C und ist damit auch in schwierigen Situationen einsetzbar.

Welche Montagemöglichkeiten gibt es für die Installation?


Er zeichnet sich durch ein oberflächenmontierbares Design in einem DPAK-Gehäuse aus, das eine unkomplizierte Integration auf Leiterplatten ermöglicht und gleichzeitig Platz spart.

Gibt es eine Begrenzung für die Gate-Spannung?


Ja, die Gate-to-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um sichere Betriebsbedingungen zu gewährleisten.

Welche Maßnahmen erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb?


Die Robustheit wird durch Lawinen- und dynamische dV/dt-Schutzfunktionen verbessert, die eine zuverlässige Leistung unter verschiedenen Bedingungen gewährleisten.

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