Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 218-3125
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7546PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3125
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU7546PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 71A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.9mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 99W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.39mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 71A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.9mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 99W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.39mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er wird für Anwendungen verwendet, bei denen das Schalten unter <100 kHz liegt.
Bleifrei, RoHS-konform
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
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