Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET Transistor 20 V / 93 A 79 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
688-7140
Herst. Teile-Nr.:
IRFU3711ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

93 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.45V

Gate-Schwellenspannung min.

1.55V

Verlustleistung max.

79 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.6mm

Breite

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

6.1mm

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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