Vishay N-Kanal, THT MOSFET Transistor 500 V / 3.3 A 83000 mW, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 708-4844
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU420APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.51
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.502 | CHF.7.51 |
| 25 - 95 | CHF.1.208 | CHF.6.04 |
| 100 - 245 | CHF.0.987 | CHF.4.96 |
| 250 - 495 | CHF.0.966 | CHF.4.85 |
| 500 + | CHF.0.851 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4844
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU420APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3.3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 83000 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Breite | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3.3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 83000 mW | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Breite 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 6.22mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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