Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 23 W, 4-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 772-5251P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ598-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 40 - 190 | CHF.0.536 |
| 200 - 490 | CHF.0.494 |
| 500 - 990 | CHF.0.483 |
| 1000 + | CHF.0.473 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5251P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ598-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 23 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 23 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.3mm | ||
P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)
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