Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 50 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 772-5236P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ541-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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- 772-5236P
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- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 155 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 50 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 11.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.44mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 60 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 155 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 50 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 11.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.44mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 15mm | ||
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