Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A
- RS Best.-Nr.:
- 264-1239
- Herst. Teile-Nr.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Marke:
- Renesas Electronics
222 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
CHF.5.061
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.5.061 | CHF.10.112 |
| 10 - 48 | CHF.4.557 | CHF.9.125 |
| 50 - 98 | CHF.4.463 | CHF.8.925 |
| 100 - 248 | CHF.3.738 | CHF.7.466 |
| 250 + | CHF.3.654 | CHF.7.308 |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 264-1239
- Herst. Teile-Nr.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Renesas Electronics bietet eine Niederspannungsleistung mit P-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, der für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er besteht aus einem maximalen Ablassstrom von 100 A.
Die maximale Ablassquellenspannung beträgt 60 V
Befestigungstyp: SMD-Montage
Befestigungstyp: SMD-Montage
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Montage-Typ | SMD |