Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
641-6079
Herst. Teile-Nr.:
NP82N055PUG-E2-AZ
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

82 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

1800 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.15mm

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

106 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.45mm

Ursprungsland:
JP

N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)