Renesas Electronics NP100P06PDG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 100 A 200 W, 4-Pin MP-25ZP (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
264-1238
Herst. Teile-Nr.:
NP100P06PDG-E1-AY
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NP100P06PDG

Gehäusegröße

MP-25ZP (TO-263)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

300nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Renesas Electronics bietet eine Niederspannungsleistung mit P-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, der für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er besteht aus einem maximalen Ablassstrom von 100 A.

Die maximale Ablassquellenspannung beträgt 60 V

Befestigungstyp: SMD-Montage

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