onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 263 A 138.9 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
229-6464
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS002P03P8ZT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

263A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

NTK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

217nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

138.9W

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Länge

6.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat einen extrem niedrigen Betriebswiderstand. Er hat 226 A Drain-Strom. Er wird in der Lastschaltung und im Batterie Management verwendet.

Verbesserung der Systemeffizienz

Platzsparend

Ausgezeichnete Wärmeleitung

Bleifrei

Halogenfrei/BFR-frei

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