Teile-Nr.

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 870 mA 550 mW, 3-Pin NTK3139PT1G ESM

RS Best.-Nr.:: 780-0642
Herst. Teile-Nr.:: NTK3139PT1G
Marke:: onsemi

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 870 mA 550 mW, 3-Pin NTK3139PT1G ESM

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RS Best.-Nr.:: 780-0642
Herst. Teile-Nr.:: NTK3139PT1G
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	870mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	ESM
	Serie	NTK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.2Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	550mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	6 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.55mm
	Länge	1.25mm
	Breite	0.85 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 870mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße ESM
	Serie NTK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 550mW
	Gate-Source-spannung max Vgs 6 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.55mm
	Länge 1.25mm
	Breite 0.85 mm
	Automobilstandard Nein

onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 870 mA 550 mW, 3-Pin NTK3139PT1G ESM

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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