onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 870 mA 550 mW, 3-Pin ESM
- RS Best.-Nr.:
- 124-5404
- Herst. Teile-Nr.:
- NTK3139PT1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 870mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | ESM | |
| Serie | NTK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 550mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.25mm | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 870mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße ESM | ||
Serie NTK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 550mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.85 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.25mm | ||
Höhe 0.55mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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