onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET

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RS Best.-Nr.:
163-1113
Herst. Teile-Nr.:
NTHS4101PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

NTK

Gehäusegröße

ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

1.7 mm

Länge

3.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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