onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 163-1113
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHS4101PT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.1'230.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.41 | CHF.1'241.10 |
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- RS Best.-Nr.:
- 163-1113
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHS4101PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | ChipFET | |
| Serie | NTK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße ChipFET | ||
Serie NTK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.7 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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