onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4.1 A 2.1 W, 8-Pin ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 163-1110
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHD4102PT1G
- Marke:
- onsemi
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- NTHD4102PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | ChipFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße ChipFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Dual-P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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